GD32單片機和STM32單片機的區(qū)別

GD32是國產(chǎn)單片機，據(jù)說開發(fā)人員來自ST公司，GD32也是以STM32作為模板做出來的。所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的，不過GD32畢竟是不同的產(chǎn)品，不可能所有東西都沿用STM32，有些自主開發(fā)的東西還是有區(qū)別的。不同的地方如下：

1、內(nèi)核

GD32采用二代的M3內(nèi)核，STM32主要采用一代M3內(nèi)核。

2、主頻

使用HSE(高速外部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大72M

使用HSI(高速內(nèi)部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大64M

主頻大意味著單片機代碼運行的速度會更快，項目中如果需要進行刷屏，開方運算，電機控制等操作，GD是一個不錯的選擇。

3、供電

外部供電：GD32外部供電范圍是2.6~3.6V，STM32外部供電范圍是2.0~3.6V或1.65~3.6V。GD的供電范圍比STM32相對要窄一點。

內(nèi)核電壓：GD32內(nèi)核電壓是1.2V，STM32內(nèi)核電壓是1.8V。GD的內(nèi)核電壓比STM32的內(nèi)核電壓要低，所以GD的芯片在運行的時候運行功耗更低。

4、Flash差異

GD32的Flash是自主研發(fā)的，和STM32的不一樣。

GDFlash執(zhí)行速度：GD32Flash中程序執(zhí)行為0等待周期。

STM32Flash執(zhí)行速度：ST系統(tǒng)頻率不訪問flash等待時間關系：0等待周期，當0<SYSCLK<24MHz，1等待周期，當24MHz<SYSCLK≤48MHz，2等待周期，當48MHz<SYSCLK≤72MHz。

Flash擦除時間：GD擦除的時間要久一點，官方給出的數(shù)據(jù)是這樣的：GD32F103/101系列Flash128KB及以下的型號，PageErase典型值100ms，實際測量60ms左右。對應的ST產(chǎn)品PageErase典型值20~40ms。

5、功耗

GD的產(chǎn)品在相同主頻情況下，GD的運行功耗比STM32小，但是在相同的設置下GD的停機模式、待機模式、睡眠模式比STM32還是要高的。

6、串口

GD在連續(xù)發(fā)送數(shù)據(jù)的時候每兩個字節(jié)之間會有一個Bit的Idle，而STM32沒有。

GD的串口在發(fā)送的時候停止位只有1/2兩種停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四種停止位模式。

GD和STM32USART的這兩個差異對通信基本沒有影響，只是GD的通信時間會加長一點。

7、ADC差異

GD的輸入阻抗和采樣時間的設置和ST有一定差異，相同配置GD采樣的輸入阻抗相對來說要小。具體情況見下表這是跑在72M的主頻下，ADC的采樣時鐘為14M的輸入阻抗和采樣周期的關系：

8、FSMC

STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。